消息稱三星電子 HBM4 良率已接近 80%，產能爬坡加速

南韓媒體《首爾經濟日報》於當地時間 9 日引述業界消息人士說法指出，三星電子在第四代高頻寬記憶體 HBM4 的良率表現已逼近 80%，幾乎提前達成原先設定在 2026 年底才要實現的目標。良率的顯著拉抬，也同步加速了三星在 HBM4 產能爬坡的進度，為後續擴大市場供貨打下基礎。報導提到，三星電子在今年 2 月剛進入 HBM4 初步量產階段時，良率僅約 60% 左右。以 DRAM 產業的標準來看，這樣的良率水準距離大規模商業化量產仍有明顯落差，也因此在初期限制了三星在 HBM4 產品上的投片規模，整體產出與供貨能力皆受到牽制。

不過，隨著後續製程持續調整與優化，HBM4 良率如今已逐步攀升至接近 80%。對三星而言，良率的穩定成長意味著在 HBM4 產品上可望獲得豐厚回報，自然也就提高了將更多 DRAM 晶圓產能轉移至 HBM4 的意願，藉此擴大高階記憶體的供貨比重，並進一步強化在 AI 記憶體市場的競爭力。在產能配置策略上，供應鏈消息也透露，三星電子計畫在本季度將 HBM4 的銷售額擴大至上季度的 3 倍以上，顯示其對 HBM4 出貨成長深具信心。與此同時，三星也目標在 2026 年下半年，將 HBM4 在整體 HBM 產品線當中的營收占比擴展至 60% 以上，確立 HBM4 做為旗下高階記憶體主力產品的地位。

更長遠來看，三星電子期望能在今年年底前，於 HBM 市場取得與自身在整體 DRAM 市場相當的市占率。近年來，三星在 DRAM 市場的市占率穩定維持在四成左右的水準，若此目標順利達標，代表其在 HBM 領域的排名也將一舉躍升至領先行列，與當前市場領導者 SK 海力士展開更直接的競爭。HBM4 是新一代高頻寬記憶體規格，相較於前代 HBM3E，在頻寬、容量與功耗表現上皆有進一步提升，被視為下一階段 AI 加速器與高效能運算系統的關鍵零組件。隨著 AI 伺服器需求持續蓬勃發展，主要記憶體業者皆積極投入 HBM4 的研發與量產布局，希望能在這波需求熱潮中搶得先機。

值得留意的是，三星電子先前在 HBM3E 的驗證與量產進度上，一度落後於主要競爭對手。因此，這次 HBM4 良率的快速拉升，對三星而言具有相當重要的戰略意義，不僅有助於縮短與競爭對手之間的技術差距，更能透過較高的良率來降低生產成本，進而在價格與供貨穩定度上取得競爭優勢。業界人士分析指出，HBM 產品的良率牽動整體獲利表現，過去記憶體大廠在進入新一代 HBM 量產初期，往往因為良率不足而被迫採取保守的投片策略。如今三星在 HBM4 的良率已接近八成，這意味著其製程技術已逐步成熟，後續在產能擴張與客戶訂單爭取上，都將更具底氣。另一方面，三星電子近期在記憶體業務上動作頻頻。

除了 HBM4 良率報佳音外，先前也有消息指出，三星正在整併通用 DRAM 的後端製造設施，希望透過縮短製造週期來提升實際產能。這一系列布局顯示，三星正試圖從前端製程良率到後端封裝產能，全面強化記憶體事業的營運效率。此外，三星對於記憶體市場的供需展望也抱持相對樂觀的態度。該公司先前曾預測，2027 年記憶體短缺問題將進一步加劇，供應緊張的情況至少會持續到 2028 年。在此背景下，確保先進製程產品的良率與供貨能力，對於搶占市場先機便顯得格外重要。整體而言，三星電子 HBM4 良率逼近 80% 的進展，不僅是技術層面上的突破，更代表其在 HBM 市占率競爭中已邁出關鍵一步。

未來數季，三星能否如市場消息所言，將 HBM4 的銷售規模與營收占比推升至新的高度，進而在年底前達成與 DRAM 市占率相當的 HBM 市場地位，將是各界持續關注的焦點。